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Resumo:

As técnicas eletroquímicas, devido a seu custo relativamente baixo, quando comparadas com técnicas de vácuo, são uma ótima alternativa para aqueles que desejam se iniciar na fabricação e estudo de estruturas nanométricas, como filmes finos, nanofios, nanocilindros, nanodots e nanopartículas em geral, principalmente quando existem poucos recursos para as técnicas de vácuo.Este curso pretende apresentar uma visão geral, segundo uma abordagem experimental do assunto, suficiente para motivar os interessados a iniciar algum trabalho no tema, utilizando uma estrutura laboratorial de baixo custo.Conforme mencionado na Referência 9, as metodologias de nanofabricação podem ser geralmente divididas em dois tipos de processos: top-down e bottom-up. Os processos top-down referem-se àqueles que se aproximam da nanoescala a partir de dimensões maiores, como as litografias, o nanoimprinting, o uso de pontas de prova, e as técnicas de feixe de elétrons. Em contraste, nos processos de fabricação bottom-up são construídos artefatos em nanoescala, a partir do nível molecular e acima, seja com moléculas únicas ou coleções de moléculas que se aglomeram ou se auto-agrupam. Usando uma abordagem bottom-up, como automontagem (self- assembly) p.ex., se permite que os cientistas criem sistemas maiores e mais complexos a partir de subcomponentes elementares como átomos e moléculas. Outro exemplo são os processos epitaxiais, que criam estruturas camada por camada de crescimento,em nível atômico. Um dos processos bottom-up que tem sido tradicionalmente usados por décadas, é a eletrodeposição, onde é possível formar filmes finos de qualidade, principalmente metálicos, a partir da oxi-redução de espécies químicas adequadas. Controlando precisamente os elétrons transferidos, conseguem-se quantidades bem definidas do material formado, determinadas de acordo com a lei da eletrólise de Faraday. Por exemplo, interconexões de cobre de alta qualidade produzidas em grande escala em chips eletrônicos de alta integração ou de outros metais e óxidos em sistemas micro-eletro-mecânicos (MEMS), podem ser formadas eletroquimicamente em wafers de Si, entre outros substratos. A eletrodeposição mostrou-se, portanto, compatível com o estado tecnológico atual de fabricação de dispositivos de última geração. As maiores empresas de semicondutores, por exemplo, IBM, Intel, AMD e Motorola, estão usando máquinas de galvanoplastia de wafers de silício, em suas linhas de fabricação. Entre os materiais passíveis de ser produzidos diretamente por eletrodeposição, temos vários metais condutores e ligas ferromagnéticas, como Cu, Ag, Au, Co, Fe, Ni, CoFe, CoNi, FeNi, CoFeNi; CoP, CoB, FeB, CoFeP, CoFeB, CoFeCr , CoFeCu, CoNiFe, CoNiFeS, CoFeNiCr, CoFeSnP, CoNiFeB; alguns óxidos metálicos, certos materiais semicondutores e determinadas ligas de Heusler. Uma outra classe de materiais nanoestruturados por métodos eletroquímicos são aqueles baseados em alumina anodizada nanoporosa, a saber filmes metálicos com nanoporos e também nanofios metálicos, nanopontos, nanopilares, nanopartículas e outros.

Ementa
  • Apresentação e Conceitos Básicos
  • Nanoestruturas: Tipos e Classificações
    1. Principais efeitos associados à redução do tamanho (“size-effects”)
    2. Filmes Finos
    3. Estruturas Individuais e Arranjos
    4. Materiais nanoestruturados
  • Métodos Básicos de Nanofabricação
    1. Nanolitografias
    2. Preparação de máscaras poliméricas e outras
    3. Deposição e Corrosão através de máscaras
  • Eletroquímica: Fenômenos Básicos, Técnicas e Conceitos
    1. Oxidação e Redução
    2. A célula eletroquímica
    3. Técnicas potenciostática e galvanostática
    4. Preparação de soluções
    5. Preparação de substratos
  • Eletrodeposição de Filmes Finos Metálicos e Multicamadas
    1. Metais Condutores
    2. Metais Ferromagnéticos
  • Eletrodeposição de Óxidos
    1. Principais óxidos fabricáveis por eletrodeposição e suas aplicações
  • Principais Técnicas Utilizadas de Caracterização
    1. Noções básicas do AFM
    2. Medição de espessuras
    3. Verificação da qualidade topográfica dos depósitos
    4. Cálculo e Medição das Taxas de Deposição
    5. Outras Técnicas de Caracterizações de Interesse
  • Preparação de Óxido de Alumínio Anodizado Nano Poroso (NP-AAO) e Membranas de Alumina Porosa (PAM)
    1. Principais Ácidos Utilizados na preparação e controle dos diâmetros dos poros
    2. Alargamento posterior por Etching Químico
  • Nanoestruturas Baseadas em AAO: Nanofios, nanopilares, nanopartículas e outras
    1. Fabricação e caracterização
  • Outras Estruturas Eletrodepositadas. Exemplos
  • Preparação de relatório em forma de artigo
  • Apresentação de seminário
Pré-Requisitos:
Sem pré requisitos
Bibliografia:
  • Di VENTRA, M. et al., “Introduction to Nanoscale Science and Technology”, Springer-Verlag, 2004.
  • DUPAS, C. et al., “Nanoscience, Nanotechnology and Nanophysics”, Springer-Verlag, 2007.
  • SCHLESINGER, M. and PAUNIVIC, M., “Modern Electroplating”, 4th Ed., John Wiley & Sons, Inc., 2000.
  • SELLMYER, D. and SKOMSKI, R., “Advanced Magnetic Nanostructures”, Springer-Verlag, 2006.
  • CHRISTO PAPADOPOULOS (auth.) – “Nanofabrication: Principles and Applications” - Springer International Publishing, 2016.
  • KONDO, K. et al., “Copper Electrodeposition for Nanofabrication of Electronics Device”, Springer, 2014.
  • WEI, D., “Electrochemical nanofabrication principles and applications”, Pan Stanford Publishing, 2016.
  • SARAGAN, A., “Nanofabrication principles to laboratory practice”, CRC Press, 2017.
  • STEPANOVA, M. et al., “Nanofabrication Techniques and Principles”, Springer-Verlag Wien, 2012.
  • CABRINI, S. et al., KAWATA, S., “Nanofabrication Handbook”, CRC Press, 2012.
  • KIM, D. et al., Magnetic properties of nanocrystalline iron group thin film alloys electrodeposited from sulfate and chloride baths, Electrochimica Acta 48 819-830, 2003.
  • HUGELMANN M. ET AL., Nanoelectrochemistry and nanophysics at electrochemical interfaces, Surface Science 597, 156-172, 2005.
  • HIMPSEL F. J. et al., Magnetic nanostructures, Advances in Physics, 47:4, 511-597, 1998.